Infineon hat heute eine Investition von 1,1 Milliarden Euro in den Standort Villach angekündigt. Dort will das Unternehmen die nach eigenen Angaben weltweit erste Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern errichten. Reuters zufolge ist die Produktion für Rechenzentren bestimmt. Die Ankündigung betrifft damit den Ausbau der Fertigung von Leistungshalbleitern für die Stromversorgung dieser Anlagen.
Neue Technik für KI-Rechenzentren
Für die Stromverteilung in KI-Rechenzentren stellte Infineon heute außerdem ein Hochvolt-Referenzdesign vor. Mit dem Stromverteilungsboard können Kunden nach Unternehmensangaben Versorgungssysteme mit ±400 V und 800 V evaluieren. Es handelt sich um ein Referenzdesign, mit dem Kunden diese Versorgungssysteme prüfen können.
Bereits am 21. Oktober hatte Infineon eine Zusammenarbeit mit NVIDIA angekündigt. Gegenstand sind GaN-basierte Stromversorgungssysteme für KI-Rechenzentren mit einer Gleichspannungsarchitektur von 800 Volt.
Stromverteilung und Batteriesteuerung im Fahrzeug
Neben den Rechenzentrumsprodukten brachte Infineon heute die MOSFET-Technologie LinearFET auf den Markt. Sie ist nach Unternehmensangaben für halbleiterbasierte Stromverteilungssysteme in Elektrofahrzeugen und softwaredefinierten Fahrzeugen vorgesehen.
Ein ebenfalls heute vorgestelltes Hochvolt-Referenzdesign für das Batteriemanagement kombiniert den Mikrocontroller AURIX TC4x mit einer parallelen Verarbeitungseinheit. Damit sollen sich Batteriemodelle direkt auf der Batteriemanagementeinheit ausführen lassen. Anders als bei LinearFET kündigte Infineon hier ein Referenzdesign an.
Zu den weiteren Technologie-Neuigkeiten des Tages gehören ENDOPACK-Chip-Embedding für Traktionswechselrichter und erweiterte OptiMOS-7-Automotive-MOSFETs. Für die electronica vom 10. bis 13. November in München hat Infineon zudem Lösungen und Halbleiterinnovationen zu physischer KI, Robotik, Mobilität und KI-Stromversorgung in Aussicht gestellt.
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