Infineon hat gestern LinearFET auf den Markt gebracht. Die MOSFET-Technologie ist für die halbleiterbasierte Stromverteilung in Elektrofahrzeugen und softwaredefinierten Fahrzeugen vorgesehen. Damit richtet sich die Produktneuheit an Anwendungen, bei denen Halbleiter die Verteilung elektrischer Energie im Fahrzeug übernehmen.
Neues Referenzdesign für Server
Ebenfalls gestern stellte Infineon ein neues Referenzdesign für die Stromversorgung von Unternehmensservern und Edge-KI vor. Das M-CRPS-Design bietet eine Leistung von 5,6 Kilowatt und erreicht nach Unternehmensangaben einen Spitzenwirkungsgrad von über 98 Prozent. Als weiteres Merkmal hebt Infineon die hohe Leistungsdichte hervor.
Im Geschäft mit der Energieversorgung von KI-Rechenzentren hatte Infineon vor gut einer Woche außerdem die Zusammenarbeit mit NVIDIA erweitert. Gegenstand sind GaN-basierte Stromwandlungssysteme für Gleichstromarchitekturen mit 800 Volt.
Fertigungsausbau und Messeauftritt
Für die GaN-Fertigung hat Infineon zudem Investitionen von rund 1,1 Milliarden Euro am Standort Villach angekündigt. Das Investitionsprogramm reicht bis 2034. Geplant ist dort Europas erste Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern.
Der Produktionsstart ist für Ende 2027 vorgesehen. Die EU hat für das Vorhaben eine Förderung von 319 Millionen Euro genehmigt. Die angekündigten Investitionen betreffen damit den Aufbau von Fertigungskapazitäten, während die gestern vorgestellten Neuheiten konkrete Anwendungen in Fahrzeugen und Servern adressieren.
Weitere Lösungen will Infineon auf der electronica in München präsentieren, die vom 10. bis 13. November stattfindet. Das Unternehmen stellte den Messeauftritt am 14. Oktober in Aussicht. Zu den angekündigten Schwerpunkten gehören physische KI und Robotik, Mobilität sowie die Stromversorgungsinfrastruktur für KI-Anwendungen. Vorgesehen sind sowohl Lösungen als auch Halbleiterinnovationen für diese Einsatzfelder.
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