Zwei deutsche Giganten arbeiten zusammen: So haben der Münchener Halbleiterkonzern Infineon und der Industriekonzern Siemens kürzlich eine Tech-Kooperation präsentiert, die den elektrischen Schutz in Rechenzentren, Produktionsanlagen und Batteriespeichersystemen auf ein neues Level heben soll.
Infineon-Aktie: SiC-Chips machen Stromschutz bis zu tausendmal schneller
Im Rahmen der Kooperation setzt Siemens bei seinem Halbleiter-Leistungsschalter SENTRON 3QD2 auf Siliziumkarbid-Leistungsmodule von Infineon, was die Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit der Siemens-Schutzprodukte steigern soll.
Ein solcher Halbleiter-Leistungsschalter schützt Stromkreise vor Schäden durch übermäßigen Stromfluss – etwa bei Kurzschlüssen oder Überlast. Die Siliziumkarbid-Technologie ermöglicht es, den Strom im Notfall im Mikrosekundenbereich zu kappen, bis zu tausendmal schneller als herkömmliche elektromechanische Systeme. Gerade in KI-Rechenzentren, wo selbst kurze Stromunterbrechungen erhebliche wirtschaftliche Schäden verursachen können, ist diese Reaktionsgeschwindigkeit ein sehr wichtiger Vorteil.
Infineon-Aktie: Wachsende Komplexität treibt Nachfrage
Durch die Integration des 62-mm-CoolSiC-MOSFET-Moduls 1200 Volt von Infineon in die Schutzlösungen von Siemens leisten die Unternehmen einen Beitrag zu resilienteren und zukunftssicheren Energieinfrastrukturen. Der gemeinsame Ansatz unterstützt die wachsende Verbreitung von Gleichstromnetzen und hochelektrifizierten Umgebungen.
Der zuständige Infineon-Manager Andreas Weisl verwies auf den steigenden Bedarf: KI-Rechenzentren und Fabriken würden zunehmend elektrifiziert und komplexer, was die Anfälligkeit für elektrische Störungen erhöhe und den Bedarf an nachhaltigeren und zuverlässigeren Stromverteilungssystemen vorantreibe.
Die Kooperation fügt sich in eine breite Strategie ein, mit der Infineon seine Siliziumkarbid-Technologie als Schlüsselkomponente für die Energieinfrastruktur der KI-Ära positioniert. Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial, das gegenüber konventionellem Silizium höhere Spannungen, Temperaturen und Schaltgeschwindigkeiten verträgt – und damit besonders für leistungsintensive Anwendungen wie Rechenzentren, Elektroautos und industrielle Anlagen geeignet ist.
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