LandMark Optoelectronics Corporation produziert und liefert Galliumarsenid- (GaAS) und Indiumphosphid- (InP) Epitaxiewafer für die optische Kommunikation, für Verbraucherprodukte und industrielle Anwendungen sowie für Spezialanwendungen in Taiwan, den Vereinigten Staaten, Festlandchina und international. Das Unternehmen bietet Epi-Wafer für InP-Laserdioden (LD) zur Verwendung in LDs für die optische Kommunikation, Epi-Wafer für Fotodetektoren zur Verwendung in Fotodetektoren, Avalanched-Detektoren und zur Überwachung der Lasereffizienz sowie Detektoren für Sensoren für optische Kommunikationsprodukte; und GaAs-LD-Epi-Wafer für den Einsatz in Hochleistungs-Laserbearbeitungsgeräten, Barcode-Scannern, GPS-Systemen, 3D-Sensoren, autonomen Lidar-Autos, Geräten der ästhetischen Medizin und Geräten in Datenzentren sowie optische Halbleiter, LDs und InAlGaP/AlGalnAs. [...]